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青島佳恩半導(dǎo)體有限公司（總部）

  • 電子元器件的基礎(chǔ)知識(shí)有哪些？
    2022.06.14

    電子元器件的基礎(chǔ)知識(shí)有哪些？

    ?電路中的電阻用R和數(shù)字表示，如R15表示15的電阻。電路中電阻的主要功能是分流、限流、分壓、偏置、濾波器（與電容器一起使用）和電阻匹配。

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  • 干貨|場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)及測(cè)試
    2022.05.31

    干貨|場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)及測(cè)試

    其實(shí)，有關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)很多，包括直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)，但一般使用時(shí)關(guān)注以下主要參數(shù)：

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  • 常用場(chǎng)效應(yīng)管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法，來啦！
    2022.05.27

    常用場(chǎng)效應(yīng)管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管的檢測(cè)方法，來啦！

    場(chǎng)效應(yīng)管分結(jié)型、絕緣柵型兩大類。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）因有兩個(gè)PN結(jié)而得名，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管中，應(yīng)用最為廣泛的是MOS場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場(chǎng)效應(yīng)管等。

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  • 肖特基二極管與快恢復(fù)整流二極管的性能比較
    2022.05.20

    肖特基二極管與快恢復(fù)整流二極管的性能比較

    ?隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，電子設(shè)備的體積和重量越來越小，而傳統(tǒng)的連續(xù)式申聯(lián)穩(wěn)壓電源由于體積大、效率低則不能滿足整機(jī)的優(yōu)化設(shè)計(jì)。開關(guān)電源是體積小、重量輕、可靠性高的新型電源，具有功耗低、效率高的突出優(yōu)點(diǎn)，其效率可達(dá)75%以上。開關(guān)電源取代線性電源是工業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)。

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  • 由IGBT構(gòu)成的中頻加熱電源逆變器的相關(guān)介紹
    2022.05.13

    由IGBT構(gòu)成的中頻加熱電源逆變器的相關(guān)介紹

    為了獲取不同的輸出功率以控制加熱負(fù)載的溫度,被控制的參數(shù)實(shí)際上是負(fù)載兩端的中頻電壓有效值。該電壓有效值近似于斬波器輸出的直流電壓U。因此控制斬波器電壓值,即可控制逆變器的輸出功率,亦即控制被加熱負(fù)載的溫度。

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  • IGBT模塊中氮化鋁陶瓷基板的應(yīng)用
    2022.05.10

    IGBT模塊中氮化鋁陶瓷基板的應(yīng)用

    IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不間斷電源等設(shè)備上，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)，當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，并且隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來越多見。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。

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