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通常，額定電流超過1安培的半導(dǎo)體器件稱為功率半導(dǎo)體。它們阻斷電壓范圍從幾伏一直到上萬伏。在眾多的功率半導(dǎo)體器件中，功率二極管是相對簡單的一種器件，但它同時也是在電力電于電路中應(yīng)用最為廣泛的一種常用基礎(chǔ)器件。它不僅應(yīng)用于簡單的整流電路，同時也常常用作續(xù)流二極管(簡稱FWD)，簡單的單相半橋式逆變電路中，與可控的開關(guān)器件匹配，反并聯(lián)使用，以繼續(xù)維持感性負載上的電流，防止由于電流的突然跌落產(chǎn)生的電壓尖峰。這種FWD的使用，在開關(guān)電源、變頻電源、不間斷電源、變頻電機驅(qū)動等很多應(yīng)用場合大量存在。
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IGBT單管：多種先進的IGBT技術(shù)平臺：平面非穿通，溝槽非穿通，平面場截止，溝槽場截止；從經(jīng)濟和性能方面為用戶提供靈活的選擇方案。
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?功率mos在電動車控制器的作用非常重要，簡單來講mos的輸出電流就是用來驅(qū)動電機。電流輸出越大（為了防止過流燒壞mos，控制器有做限流保護），電機扭矩就強，加速就有力（電機磁飽和前扭矩和相電流成正比）。
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功能陶瓷在IGBT中就是相當于在電子電路基板上的應(yīng)用，作為功能陶瓷基板的材料有著優(yōu)秀的絕緣性，接下來為大家介紹一下功能陶瓷在IGBT領(lǐng)域中的應(yīng)用。
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串聯(lián)諧振中頻感應(yīng)爐采用IGBT中頻電源。IGBT中頻電源是一種新型的IGBT逆變器模塊，主要用來熔煉碳鋼，合金鋼，鑄鋼，有色金屬。IGBT中頻電源具有加熱速度快，節(jié)能環(huán)保的特點。
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IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由雙極型三極管（BJT）和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。在電子電路中，IGBT在電子電路中就相當于一個開關(guān)，是一個大功率大電流高耐壓電壓驅(qū)動的半導(dǎo)體器件。
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