利用IGBT雙脈沖測(cè)試電路，改變電壓及電流測(cè)量探頭的位置，即可對(duì)IGBT并聯(lián)的續(xù)流二極管（即FRD）的相關(guān)參數(shù)進(jìn)行測(cè)量與評(píng)估。
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?今天小編主要對(duì)IGBT的驅(qū)動(dòng)應(yīng)用電路進(jìn)行分析闡述，以混合集成電路EXB841為例，它是一種比較典型的驅(qū)動(dòng)電路，不僅能夠驅(qū)動(dòng)高達(dá)400A 600V IGBT和高達(dá) 300A 1200V IGBT，而且模塊功能較完善，具有單電源、正負(fù)偏壓、過(guò)流檢測(cè)、保護(hù)、軟關(guān)斷等主要特性。
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?在電磁爐中，IGBT是一個(gè)損壞占有率很大的元器件，在沒有查明故障原因的時(shí)候就試機(jī)，會(huì)引起IGBT再次損壞。
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IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是總線電壓幾百至上千伏的應(yīng)用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件，IGBT在該電壓范圍內(nèi)具備優(yōu)于MOSFET的導(dǎo)通特性，同時(shí)擁有與MOSFET十分相似的柵極結(jié)構(gòu)，能實(shí)現(xiàn)輕松控制。此外，由于無(wú)需采用集成式反向二極管，這使制造商能夠靈活地選擇針對(duì)應(yīng)用優(yōu)化的快速“復(fù)合封裝”二極管，這與固有MOSFET二極管相反，固有MOSFET二極管的反向恢復(fù)電荷Qrr和反向恢復(fù)時(shí)間trr會(huì)隨著額定電壓的升高而增大。
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?制作一顆硅晶圓需要的半導(dǎo)體設(shè)備大致有十個(gè)，它們分別是單晶爐、氣相外延爐、氧化爐、磁控濺射臺(tái)、化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)、光刻機(jī)、離子注入機(jī)、引線鍵合機(jī)、晶圓劃片機(jī)、晶圓減薄機(jī)。
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電感線圈是由導(dǎo)線一圈一圈地繞在絕緣管上，導(dǎo)線彼此互相絕緣，而絕緣管可以是空心的，也可以包含鐵芯或磁粉芯，簡(jiǎn)稱電感。在電子制作中雖然使用得不是很多，但它們?cè)陔娐分型瑯又匾ｋ姼衅骱碗娙萜饕粯?，也是一種儲(chǔ)能元件，它能把電能轉(zhuǎn)變?yōu)榇艌?chǎng)能，并在磁場(chǎng)中儲(chǔ)存能量。電感器用符號(hào)L表示，它的基本單位是亨利（H），常用毫亨（mH）為單位。
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