多種先進(jìn)的IGBT技術(shù)平臺(tái):平面非穿通,溝槽非穿通,平面場(chǎng)截止,溝槽場(chǎng)截止;從經(jīng)濟(jì)和性能方面為用戶(hù)提供靈活的選擇方案。
采用先進(jìn)的平面場(chǎng)截止技術(shù),具有地飽和壓降和高速開(kāi)關(guān)特性,適合焊機(jī)、電磁感應(yīng)加熱等高頻電源應(yīng)用。
成熟的高壓平面VDMOS產(chǎn)品。平面高壓MOS,電壓600~1500伏特,應(yīng)用于逆變器、充電器以及高壓開(kāi)關(guān)電源等領(lǐng)域。
快恢復(fù)二極管采用先進(jìn)外延擴(kuò)鉑技術(shù),具有較小的trr、Qrr,高溫漏電特征，同時(shí)具有優(yōu)良的軟恢復(fù)特性。
青島佳恩半導(dǎo)體有限公司成立于2015年是國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)、科技型中小企業(yè)、山東省專(zhuān)精特新企業(yè)、山東省瞪羚企業(yè)、青島市首批制造業(yè)新銳企業(yè)產(chǎn)融合作企業(yè)，公司致力干高端半導(dǎo)體功率器件的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)、制造及銷(xiāo)售。作為新一代的功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司,佳恩掌握著創(chuàng)新型功率半導(dǎo)體核心技術(shù)，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)和自主品牌。公司自主研發(fā)的產(chǎn)品涵蓋了600V~1200V IGBT芯片、500V~1500V MOS芯片、400V~1200V FRD芯片，共申請(qǐng)了23項(xiàng)發(fā)明專(zhuān)利、43項(xiàng)實(shí)用新型專(zhuān)利
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