mos在控制器電路中的工作狀態(tài)：開通過程（由截止到導(dǎo)通的過渡過程）、導(dǎo)通狀態(tài)、關(guān)斷過程（由導(dǎo)通到截止的過度過程）、截止?fàn)顟B(tài)、mos主要損耗也對應(yīng)這幾個狀態(tài)，開關(guān)損耗（開通過程和導(dǎo)通過程），導(dǎo)通損耗，截止損耗以及雪崩能量損耗。只要把這些損耗控制在mos承受規(guī)格之內(nèi)，mos即會正常工作，超出承受范圍，即發(fā)生損壞。

mos管的損壞主要圍繞雪崩損壞、器件發(fā)熱損壞、內(nèi)置二極管破壞、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞、柵極電涌、靜電破壞這五大方面。接下來就由小編針對mos管的損壞原因做以下簡明介紹。

1、雪崩損壞

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。

在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運行斷開時產(chǎn)生的回掃電壓或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率mos的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩損壞。

2、器件發(fā)熱損壞

該種損壞是由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率和瞬態(tài)功率兩種。

(1) 直流功率是由外加直流功率而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱，損耗有導(dǎo)通電阻RDS(on)損耗（高溫時RDS(on)增大，導(dǎo)致一定電流下，功耗增加）、由漏電流IDSS引起的損耗（和其他損耗相比極?。?。

(2)瞬態(tài)功率是由外加單觸發(fā)脈沖而導(dǎo)致的損耗引起的發(fā)熱，損耗負(fù)載短路、開關(guān)損耗（接通、斷開，與溫度和工作頻率是相關(guān)的）、內(nèi)置二極管的trr損耗（上下橋臂短路損耗，與溫度和工作頻率是相關(guān)的）。

器件正常運行時不發(fā)生的負(fù)載短路等引起的過電流，造成瞬時局部發(fā)熱而導(dǎo)致破壞。另外，由于熱量不相配或開關(guān)頻率太高使芯片不能正常散熱時，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超出溝道溫度導(dǎo)致熱擊穿的破壞。

3、內(nèi)置二極管破壞

在DS端間構(gòu)成的寄生二極管運行時，由于在Flyback時功率mos的寄生雙極晶體管運行，導(dǎo)致此二極管破壞的模式。

4、由寄生振蕩導(dǎo)致的破壞

此種破壞方式在并聯(lián)時極易發(fā)生。在并聯(lián)功率mos時未插入柵極電阻而直接連接時發(fā)生的柵極寄生振蕩。高速反復(fù)接通、斷開漏極-源極電壓時，在由柵極-漏極電容Cgd(Crss)和柵極引腳電感Lg形成的諧振電路上發(fā)生此寄生振蕩。當(dāng)諧振條件(ωL=1/ωC)成立時，在柵極-源極間外加遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于驅(qū)動電壓Vgs(in)的振動電壓，由于超出柵極-源極間額定電壓導(dǎo)致柵極破壞，或者接通、斷開漏極-源極間電壓時的振動電壓通過柵極-漏極電容Cgd和Vgs波形重疊導(dǎo)致正向反饋，因此可能會由于誤動作引起振蕩破壞。

5、柵極電涌、靜電破壞

主要有因在柵極和源極之間如果存在電壓浪涌和靜電而引起的破壞，即柵極過電壓破壞和由上電狀態(tài)中靜電在GS兩端（包括安裝和和測定設(shè)備的帶電）而導(dǎo)致的柵極破壞。

以上有關(guān)mos損壞的原因就講到這里啦，咱們下期再見啦~

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