IGBT即絕緣柵雙極晶體管，是一種復(fù)合了功率場(chǎng)效應(yīng)管和電力晶體管的優(yōu)點(diǎn)而產(chǎn)生的一種新型復(fù)合器件,它同時(shí)具有MOSFET的高速開(kāi)關(guān)及電壓驅(qū)動(dòng)特性和雙極晶體管的低飽和電壓特性，易實(shí)現(xiàn)較大電流的能力，既具有輸入阻抗高、工作速度快、熱穩(wěn)定性好和驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，又具有通態(tài)電壓低、耐壓高和承受電流大的優(yōu)點(diǎn)。

       近年來(lái)IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件，并得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用。因此IGBT的測(cè)試就變的尤為重要。

        IGBT的測(cè)試包括靜態(tài)參數(shù)測(cè)試、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、短路測(cè)試、熱阻測(cè)試等，這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就數(shù)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，只有保證IGBT的靜態(tài)參數(shù)沒(méi)有問(wèn)題的情況下，才進(jìn)行像動(dòng)態(tài)參數(shù)（開(kāi)關(guān)時(shí)間、開(kāi)關(guān)損耗、續(xù)流二極管的反向恢復(fù)）、短路、熱阻方面進(jìn)行測(cè)試，要進(jìn)行IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，首先就需要了解IGBT都有哪些靜態(tài)參數(shù)，具體如下。

 IGBT靜態(tài)參數(shù)有BVCES,ICES,IGES,VGE(TH),VCE(SAT),VF等。

 1、BVCES

 在柵極 G 和發(fā)射極 E 短路時(shí)，在加一定的 IC 下，IGBT 的集電極 C 和發(fā)射極 E 之間的擊穿電壓。

  2、ICES

 在柵極 G 和發(fā)射極 E 短路時(shí)，在加一定的 VCE 下，IGBT 的集電極 C 和發(fā)射極 E 之間的漏電流。

 3、IGES

 在集電極 C 和發(fā)射極 E 短路時(shí)，在加一定的 VGE 下，IGBT 的柵極 G 和發(fā)射極 E 之間的漏電流。

 4、VGE(TH)

在一定的 IC 下，IGBT 的開(kāi)啟電壓。

 5、VCE(SAT)

在柵極 G 和發(fā)射極之間加一定的 VGE(大于 VGE(TH)),一定的 IC 下，IGBT 的集電極 C 和發(fā)射極 E 之間的飽和壓降。

6、VF

在一定的 IE 下，續(xù)流二極管的電壓降。

要判斷一個(gè)IGBT器件的好壞，就需要對(duì)以上這些參數(shù)進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試結(jié)果就要和IGBT生產(chǎn)廠家出的IGBT的規(guī)格書(shū)中的電氣特性這一欄里邊的范圍進(jìn)行比較，在范圍之內(nèi)就合格，否則不合格。

以上就是小編要為大家分享的所有內(nèi)容啦，大家有任何問(wèn)題可以留言給我們哦~


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